Сопротивление полупроводника может меняться как при понижении температуры, так и при повышении. Однако зависимость сопротивления от температуры в полупроводниках не всегда является линейной и может быть сложной.
У большинства полупроводников наблюдается обратная зависимость сопротивления от температуры: сопротивление уменьшается с увеличением температуры и возрастает при понижении температуры. Это связано с изменением концентрации свободных носителей заряда (электронов или дырок) в полупроводнике при изменении температуры.
При повышении температуры, энергия теплового движения атомов полупроводника увеличивается, что способствует высвобождению дополнительных носителей заряда. Это приводит к увеличению концентрации свободных носителей и, следовательно, к снижению сопротивления полупроводника.
Однако существуют исключения, например, у некоторых полупроводников, таких как полевые транзисторы MOSFET, при повышении температуры может наблюдаться увеличение сопротивления из-за эффекта тепловой генерации носителей заряда.
При понижении температуры, энергия теплового движения снижается, что может привести к уменьшению концентрации свободных носителей и, следовательно, к увеличению сопротивления полупроводника.
Важно отметить, что зависимость сопротивления полупроводников от температуры может быть сложной и зависит от типа полупроводника, его структуры и примесей. Для более точного описания изменения сопротивления в полупроводниках необходимо учитывать физические свойства конкретного материала.