P–n-переход представляет собой границу между полупроводниками типа p (с положительной проводимостью) и n (с отрицательной проводимостью). Основная особенность p–n-перехода заключается в том, что он обладает свойствами выпрямленного и обратнонаправленного соединения, что является ключевым для многих полупроводниковых устройств.
При формировании p–n-перехода происходит диффузия носителей заряда через границу между областями p- и n-типа. В зоне диффузии электроны из области n-проводимости диффундируют в область p-проводимости, а дырки из области p-проводимости диффундируют в область n-проводимости. Это приводит к образованию области с дополнительными носителями заряда: вблизи p-области образуется область с избытком электронов (n-область), а вблизи n-области - область с избытком дырок (p-область).
Основная особенность p–n-перехода заключается в том, что при прямом смещении (когда положительный полюс источника напряжения подключен к p-области, а отрицательный - к n-области) происходит уменьшение потенциального барьера на границе между областями, что способствует прохождению электрического тока через переход. При обратном смещении потенциальный барьер увеличивается, что препятствует прохождению тока.
Именно благодаря этим свойствам p–n-перехода создаются различные полупроводниковые устройства, такие как диоды, транзисторы, солнечные элементы и другие.