а) В полупроводниках без примесей носителями заряда являются электроны и дырки, которые образуются при термическом возбуждении. Электроны могут покидать свои места в кристаллической решетке, оставляя за собой дырки, которые ведут себя как положительные заряды.
б) В полупроводниках с донорной примесью (n-типа) носителями заряда являются свободные электроны, которые добавляются из примесных атомов группы V. Эти электроны увеличивают проводимость полупроводника.
в) В полупроводниках с акцепторной примесью (p-типа) носителями заряда являются дырки, возникающие из-за недостатка электронов. Примесные атомы группы III создают дырки, что увеличивает количество положительных зарядов и улучшает проводимость.