Электрическое сопротивление полупроводников уменьшается при повышении температуры из-за двух основных факторов: изменения концентрации носителей заряда и изменения подвижности носителей заряда.
1. Изменение концентрации носителей заряда: При повышении температуры, энергия теплового возбуждения увеличивается, что способствует большему количеству электронов и дырок, генерируемых в полупроводнике. Это приводит к увеличению концентрации носителей заряда и, следовательно, к увеличению проводимости полупроводника.
2. Изменение подвижности носителей заряда: Подвижность носителей заряда определяет, насколько хорошо они могут перемещаться в материале. При повышении температуры, тепловые колебания атомов полупроводника увеличиваются, что приводит к увеличению вероятности столкновений между носителями заряда и дефектами решетки. Это уменьшает подвижность носителей заряда и, следовательно, увеличивает электрическое сопротивление полупроводника.
Однако, изменение концентрации носителей заряда обычно преобладает над изменением подвижности, особенно в полупроводниках типа n или p. Поэтому в большинстве случаев увеличение температуры приводит к уменьшению электрического сопротивления полупроводников.