Это связано с тем, что полупроводники являются материалами, в которых проводимость зависит от концентрации свободных носителей заряда (электронов и дырок), которые могут быть созданы тепловым возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости. При повышении температуры энергия теплового движения электронов в полупроводнике увеличивается, что способствует их переходу из валентной зоны в зону проводимости, увеличивая концентрацию свободных носителей заряда и, следовательно, уменьшая сопротивление полупроводника.
Однако если на полупроводник падает свет, то он может создавать пары свободных носителей заряда путем фотоэффекта, что также приводит к увеличению проводимости и снижению сопротивления. Поэтому, для точного измерения зависимости сопротивления полупроводника от температуры, оптическое освещение должно быть минимальным или отсутствовать вообще, чтобы исключить влияние фотопроводимости на результаты измерений.